Александр Иванович Шокин. Портрет на фоне эпохи

Коллектив авторов

Завод полупроводниковых приборов Воронежского совнархоза. Пояснения дает главный инженер В.Г. Колесников. Первый слева – А.Ф. Трутко. 1962 г.

Еще одним предприятием, созданным в ГКЭТ по тому же постановлению для развития квантовой электроники, был НИИ приборостроения (впоследствии НИИ «Полюс»). С момента создания его возглавлял М.Ф. Стельмах. Пройдя фронт, Митрофан Федорович пришел в 108-й институт, где успешно работал над приборами СВЧ-техники. На посту руководителя института совершенно новой направленности в тесном взаимодействии с академиками А.М. Прохоровым и Р.В. Хохловым ему удалось сформировать очень сильный научный коллектив создателей лазерной техники.

Так же, как и во всех других случаях, А.И. неустанно прививал ученым и специалистам нового направления

установку на конечный результат и быстрое внедрение научных идей в практику. Созданная в ГКЭТ мощная технологическая база по материалам и специальному оборудованию, позволила без особых капитальных вложений на создание новой инфраструктуры достигнуть быстрых успехов и по твердотельными лазерам. Требования к качеству рубина в этом случае были намного выше, чем для мазеров, но в 1961–1962 годах в ГКЭТ первые лазерные элементы были изготовлены. Пока основная часть кристаллов рубина производилась классическим методом Вернейля (кристаллизацией мелкодисперсного порошка в газовом пламени), так же как для мазеров или часовых камней, но все основные стадии процесса претерпели существенные изменения. Были созданы новые типы кристаллизаторов, усовершенствованы методы производства исходного порошка (пудры) и др. Все это дало возможность получать кристаллы рубина высокого качества, позволившие создать лазеры с высокой эффективностью (к.п.д. до 1,2–1,4 %). Технология и оборудование были отработаны до такого уровня, что через несколько лет машиностроителями МЭПа для Кироваканского завода Минхимпрома в Армении было разработано и изготовлено несколько единиц высокопроизводительных автоматических линий для выращивания часовых и ювелирных рубинов, годовой выпуск которых измерялся центнерами.

Помимо рубина и рутила были разработаны методы выращивания различных кристаллов, активированных неодимом, для лазеров с низким порогом генерации. Наконец, в 1965–1966 годах была разработана технология выращивания кристаллов алюмоиттриевого граната с примесью неодима – материала для твердотельных лазеров непрерывного действия.

Другим классом специальных материалов для квантовой электроники являются нелинейные и электрооптические кристаллы для преобразования частоты и управления пучком лазеров: КДП, ДКДП, АДП др., выращиваемые из водных растворов. Их первые образцы на предприятиях ГКЭТ были получены в 1962 году. Были разработаны методы получения крупных образцов указанных кристаллов с высокой оптической однородностью, создана новая автоматическая аппаратура для выращивания водорастворимых кристаллов, например универсальный кристаллизатор с программным отбором конденсата, с помощью которого вырастили монокристаллы высокой оптической однородности весом до 1,5 кг. В результате в нелинейной оптике были получены рекордные данные, в частности по генерации высших гармоник, и создан перестраиваемый параметрический оптический генератор на кристалле КДП.

Закономерно и типично то, что уже в конце 1963 года НИИ «Полюс», размещенный пока еще на временных площадях, создал макет первой лазерной установки на основе рубина и провел с ее помощью поиск технологических применений. Через год была изготовлена первая партия лазерных технологических установок, которые передали в различные учреждения и на предприятия для изучения возможных областей использования лазерной обработки материалов.

Возвращаясь к проблеме отношений с совнархозами, следует заметить, что А.И. Шокин очень ответственно подходил к вопросам поддержания уровня заводов электронного профиля, хотя формально они ему не подчинялись. Став председателем ГКЭТ, он сумел решить еще одну проблему, не дававшую спокойно жить директорам электронных заводов, особенно находившихся под местным руководством. Неизбежные технологические потери в производстве ИЭТ никак не укладывались в существовавшую систему планирования. А.А.Захаров об этом написал:

«Вспоминается <…> одно выступление в Таврическом дворце, когда первый секретарь обкома партии в докладе упомянул о большом браке при выпуске изделий на заводе «Светлана», где я был директором. Это было в 1948—49 гг. Выступление секретаря обкома в Ленинграде увязывалось с отпуском средств на жилстроительство и указывалось, что при ликвидации потерь от брака можно построить в несколько раз больше жилья. Пришлось выступать с оправданием. Но никто не хотел понять, что такое технологический брак в электровакуумной промышленности, ее сложность.

<… > Горком партии <… > поручил директору института АН СССР <ЛФТИ> академику Иоффе проверить завод и выработать предложения по уменьшению производственного брака. Закончив осмотр завода с группой специалистов от института, он заявил, что никаких предложений по уменьшению брака дать не может из-за сложности технологических процессов. И только много позже, когда организовался Комитет электронной техники и позже Министерство электронной промышленности, первый председатель комитета, первый министр Александр Иванович Шокин при назначении на должность оговорил «на верхах» признание неизбежности частичного технологического брака» [294] .

294

Захаров

А.А. Полвека в электронике. – М.: ИД «Медпрактика-М», 2012. – 236 с. – С. 39–40.

С этого момента во всех новых разработках стал закладываться такой параметр будущего изделия как «процент выхода годных». В своих поездках по стране по действующим или строящимся институтам и КБ своего комитета А.И. Шокин обязательно посещал серийные заводы, старался, используя свой авторитет и влияние, оказать им помощь в решении вопросов в местном совнархозе.

Таких поездок было много. В ноябре 1963 года – на Украину. Во Львове создавалось мощное производство кинескопов. В Киеве А.И. посетил не только свои предприятия, но и техникум при заводе «Арсенал»: изучал опыт подготовки кадров.

Еще более важным было решение вопросов по новому строительству заводов электронной промышленности. Для результативного их обсуждения с местными властями А.И. Шокин в эти поездки отправлялся часто не один, а с первым заместителем председателя ВПК Г.А. Титовым. Так, они ездили в 1963 году по Прибалтике, а в мае 1964 года вместе с А.А. Захаровым состоялась их большая поездка по Кавказу: Пятигорск, Нальчик, отличавшихся особо чистым, свободным от пыли воздухом, далее по Военно-Грузинской дороге, подъем по канатной дороге на Эльбрус, Тбилиси, далее в Армению, в Кировакан и мимо озера Севан – в Ереван. Хорошая была поездка! Хотя А.И. Шокин в первый раз в полной мере познал кавказское гостеприимство, но о деле не забыл. Начали в Грузии делать интегральные схемы, высококачественную бытовую радиоаппаратуру, а в Армении – разъемы, прецизионное спецтехнологическое оборудование и многое другое.

Вот так. Наука наукой, а о производстве Шокин помнил всегда.

А в США уже 1962 год ознаменовал начало массового выпуска интегральных схем, хотя объем их поставок заказчикам и составил всего лишь несколько тысяч. Сильнейшим стимулом для развития приборостроительной и электронной промышленности на новой основе явилась ракетно-космическая техника. Американцы пока не имели возможности в ближайшем будущем создать такие же мощные межконтинентальные баллистические ракеты, как советские, да их военным это и не понадобилось: для увеличения заряда они пошли на максимальное сокращение массы носителя, прежде всего систем управления, за счет внедрения последних достижений электронной технологии. Фирма Texas Instrument заключила крупный контракт с военными на разработку и изготовление серии из 22 специальных схем для программы создания ракет «Минитмен». Одновременно фирма Fairchild также заключила значительные контракты с НАСА и рядом изготовителей коммерческого оборудования.

У нас в стране разработчики радиоаппаратуры тоже искали неординарные пути ее миниатюризации. Весной 1962 года специалисты НИИРЭ обратились с просьбой к Рижскому заводу полупроводниковых приборов найти способ повышения плотности компоновки аппаратуры, в частности было предложено поискать пути реализации однокристальной многоэлементной схемы типа 2НЕ-ИЛИ – универсальной для построения цифровых устройств. Решать эту задачу довелось 24-летнему инженеру Юрию Валентиновичу Осокину. Перед ним стояли принципиально новые задачи: разместить в одном кристалле два транзистора и реализовать в объеме кристалла германия (кремниевой технологии на РЗПП тогда не было) два резистора, исключив их паразитное взаимное влияние. Еще никто в стране не решал такие задачи, а в мире это сделали только Дж. Килби и Р Нойс, но никакой информации об их работах в РЗПП и НИИРЭ тогда не было. Рижане успешно решили эти задачи, причем совсем не так, как это сделали американцы, и уже осенью 1962 г. были получены первые образцы германиевой микросхемы 2НЕ-ИЛИ, получившей заводское обозначение Р12-2 [295] . К концу 1962 г. РЗПП выпустил около 5000 ИС Р12-2. В сентябре 1963 года А.И. Шокин (вместе с Г.А. Титовым) посетил РЗПП, внимательно осмотрев все производственные цеха завода, испытательную базу, ознакомился с ходом изготовления линии «Аусма», технологией и опытным производством транзисторной сборки Р12-2. Шокин поручил руководителям управлений ГКЭТ обеспечить завод современным оборудованием и испытательными средствами. Александр Иванович особое внимание уделил наращиванию производства ТС тип Р12-2 с тем, чтобы разработчики радиоаппаратуры научились быстрее применять миниатюрные ИЭТ [296] . Они производилась до середины 1990-х годов (с 1969 г. – под названием 1ЛБ021) до нескольких миллионов в год.

295

Малашевич Б.М. 50 лет отечественной микроэлектронике // Очерки истории российской электроники. Вып. 5. – М.: Техносфера, 2013. – С. 375.

296

Осокин Ю.В. О Рижском заводе полупроводниковых приборов и ПО «Альфа» // Очерки истории российской электроники. Вып. 2. Электронная промышленность СССР, 1961–1985: К 100-летию А.И. Шокина / Под ред. В.М. Пролейко. – М.: Техносфера, 2009. – С. 375.