Александр Иванович Шокин. Портрет на фоне эпохи

Коллектив авторов

Когда в 1966 году в очередном номере своего любимого журнала Electronics А.И. Шокин прочитал сообщение о разработке в США транзисторов в пластмассовых корпусах с использованием метода сборки на непрерывной ленте, на магнитных накопительных барабанах, то тут же дал задание Фрязинскому полупроводниковому заводу, НИИ «Пульсар» и ряду других предприятий разработать и изготовить и сам прибор, и отечественную высокопроизводительную линию для его производства. Министр немедленно собрал представительное техническое совещание, объяснил всем этапное значение этой работы, создал творческий коллектив конструкторов-разработчиков во главе с главным инженером НИИ-35 Дмитрием Борисовичем Зворыкиным, установил сроки, и работа закипела. Была создана отечественная автоматическая сборочная линия. Срочно был разработан и сам транзистор, получивший наименование КТ-315, подходивший для такой сборки. Пластмассовые корпуса требовали совершенного инструментального хозяйства для создания точнейших штампов и многоместных пресс-форм,

специальной пластмассы, выводных рамок и многого, многого другого. Все это специфическое хозяйство тоже было создано в МЭП по собственным же разработкам. Те же станки для электроискровой обработки, которые впервые появились во Фрязине еще в послевоенные годы, теперь широко применялись для изготовления инструмента и оснастки полупроводниковой промышленности. Не стал терять время А.И. Шокин и на преодоление упомянутого психологического барьера у смежников-потребителей, и в 1968 г. в короткие сроки в НИИ «Циклон» были созданы две модели электронных клавишных машин: «Электроника ДД» и «Электроника 68». В одну ЭКВМ шло сразу около 400 транзисторов КТ-315, плюс 700 диодов и 1400 резисторов и конденсаторов. Кроме того, были разработаны новые клавиши, газоразрядные индикаторные лампы, германиевые диоды с малым обратным током утечки, мощные диоды и транзисторы для источников питания, нашедшие потом широкое применение в другой аппаратуре. Выпуск по 7—10 тыс. в год ЭКВМ позволил отработать технологию массового производства транзистора КТ-315 и других компонентов, а заодно обеспечивать свои предприятия настольной бесшумной бухгалтерской техникой.

Политика комплексного опережающего создания вычислительной техники и ее элементной базы в министерстве продолжалась и дальше. Были разработаны и освоены десятки моделей микрокалькуляторов на специальных БИС, миниатюрных интегральных индикаторах и клавиатуре. Благодаря этому были намного сокращены сроки создания и технологической отработки в производстве новых ИЭТ. Минэлектронпром наряду с другими министерствами (МРП, МПСС и Минприбор) стал крупнейшим в стране производителем средств вычислительной техники. В свою очередь это позволило создавать и выпускать современное специальное компьютеризированное технологическое оборудование для производства ИЭТ, автоматизированные системы проектирования и др.

Отработанный технологический процесс изготовления транзисторов КТ-315 стал базовым – уже к 1973 году он лег в основу создания более 20 типов серийных полупроводниковых приборов, многие технические решения этого проекта нашли продолжение в производстве интегральных микросхем. К началу 90-х годов суммарный объем выпуска транзисторов КТ-315 на четырех заводах отрасли составил около 7 миллиардов штук, сотни миллионов было поставлено на экспорт, лицензии на технологию производства и комплект оборудования были проданы за рубеж.

Разработка КТ-315 была отмечена в 1973 году Государственной премией СССР. Один из членов авторского коллектива, Ю.С. Федоренко, вспоминал:

«Это была первая «открытая» (не засекреченная) премия по линии МЭП, публикации о ней прошли по всем центральным газетам.

В числе лауреатов, к сожалению, не было фамилии А.И. Шокина, который заслуживал этого в первую очередь. Перед подачей документов на соискание премии от имени коллектива я обратился к Александру Ивановичу с просьбой о его согласии быть в числе соискателей. Поблагодарив, он отказался: «Из-за меня и вас не пропустят, а работа достойная…» (В то время, мягко говоря, его недолюбливали в ЦК КПСС за прямолинейность и нестандартность, что не вписывалось в каноны того времени)» [311] .

311

Федоренко Ю.С. 35 лет в электронной промышленности, 30 лет на «Микроне // Сб. НИИМЭ – «Микрон». 35 лет. События. Люди. – М., Зеленоград: Микрон-принт, 1999. – 280 с.

Руководитель электронной отрасли предвидел, что при переходе от дискретных полупроводниковых приборов к интегральным схемам у потребителей возникнут еще большие трудности психологического характера, чем при переходе от ламп к полупроводниковым приборам. К этому он начал готовиться заблаговременно, и договорился с В.Д. Калмыковым о совместных действиях. В апреле 1965 года в Минрадиопроме вышел приказ, в котором говорилось об обязательном применении ИС начиная с 1966 года во всех новых разработках, где это только возможно. Подобные приказы были изданы и в ряде других министерств.

Продвижением интегральных схем в аппаратуру потребителей А.И. Шокин также занимался лично. В 1965 году он привез Н.А. Пилюгину в столь хорошо ему знакомый НИИ-885 материалы о первой разработанной в 1964 году в НИИТТ гибридной толстопленочной интегральной схеме «Тропа» (ГК А.К. Катман) и стал агитировать за ее установку в аппаратуре бортовых систем управления баллистическими ракетами, которыми тот занимался. Пилюгин оценил преимущества ГИС и взялся за создание аппаратуры с их применением. Министр поставил «Ангстрему «задачу выпустить в мае 450 шт. первых в стране ГИС.

Схемы были построены на микротранзисторах и микрорезисторах. Соответствующего цеха для их сборки как такового на заводе еще не было, был небольшой участок, дела пошли неважно, и долго этот срок был под угрозой срыва. А.И. сильно переживал за результат этой работы, часто приезжал на завод. Все же первая партия ГИС была в мае изготовлена и поставлена на первые периодические испытания. Как вспоминает М.А. Овруцкий, возглавлявший тогда цех: «Все переживали, волновались. Часто приезжал министр А.И. Шокин. Однажды он спросил у руководства предприятия и представителя заказчика: «Ну, как, периодические испытания пройдут?» – Все долго молчали, боялись сказать да или нет, он обратился ко мне: «Что скажет начальник цеха?» – Я ответил: «Обязательно пройдут, положительно». «Хоть один человек обрадовал», – сказал Шокин» [312] .

312

Овруцкий М.А. Никого никогда не подставил, не подвел… // Электронная техника. Сер. 3: Микроэлектроника. Вып. 1 (152). – М.: ЦНИИ «Электроника», 1998. – 138 с.

Серийное производство ГИС «Тропа» в Павловском Посаде началось с 1967 года. Правда, Пилюгину не удалось разработать бортовую вычислительную машину с применением ГИС. Зато это удалось в НИИЦЭВТе С.С. Крутовских, его БЦВМ «Аргон» стояла на ракетах, запускалась на космических объектах. ГИС «Тропа» стояли на луноходе, слетали на Венеру. Но военная ракетная техника предъявляла к надежности интегральных схем очень жесткие требования. В комплексе «ракета-шахта» установлены сотни, а то и тысячи интегральных схем, и нельзя допустить ни одного отказа, ни при дежурстве ракеты, ни тем более в полете. При этом комплекс должен иметь высокую стойкость ко всем поражающим факторам наземного и воздушного ядерного взрыва, как в стартовой системе, так и в полете.

Развитие более надежных монолитных ИС постепенно вытесняло ГИС и из разработок, и из серийной аппаратуры для ракетной техники. В МЭП было принято решение на сворачивание гибридной технологии, которую успешно стали применять в других министерствах, а самим сосредоточиться на монолитных схемах. На заседании коллегии 24 сентября было решено, что по гибридной технологии МЭП должно разрабатывать только бескорпусные ИЭТ и пленочные схемы и предавать документацию и технологию в другие отрасли. В НИИТТ это решение не считали правильным, но были вынуждены подчиниться. И тогда на первые роли быстро вышел Воронежский завод полупроводниковых приборов (ВЗПП, директор Н.И. Гарденин). В КБ этого завода еще в 1964 году началась активная работа по созданию ИС. Группа молодых специалистов (В.И. Никишин, Б.Л. Толстых, А.П. Удовик, Л.Н. Петров, С.С. Булгаков, Ю.П. Завальский, Ю.И. Хорошков, и др.; многие из них стали потом крупными руководителями в электронной промышленности страны) в короткие сроки разработала технологию КСДИ (кремний с диэлектрической изоляцией) и начала разработку ИС на их основе. Эта технология позволяла в несколько раз увеличить быстродействие и снизить токи утечки полупроводниковые ИС. К концу 1966 года разработанные образцы были переданы в серийное производство.

Одним из основных руководителей завода был Владислав Григорьевич Колесников. В период разработки и освоения массового производства транзисторов и интегральных схем он последовательно занимал должности начальника конструкторского бюро, главного инженера, директора, генерального директора, быстро и оперативно принимал меры по совершенствованию интегральных схем по замечаниям заказчиков. Надежность монолитных интегральных схем, степень интеграции, номенклатура применительно к разработке на их базе бортовой вычислительной машины постепенно совершенствовались. Воронежский завод полупроводниковых приборов на длительное время стал одним из основных поставщиков интегральных схем для систем управления стратегическим ракетным оружием.

Когда восьмая пятилетка, первая пятилетка существования Министерства электронной промышленности, подошла к концу, то оказалось, что за это время объем производства увеличился в три раза, производительность труда возросла на 181 процент, себестоимость продукции снизилась на 30,5 процента. В течение этих пяти лет постоянно проводилось снижение цен на изделия отрасли, благодаря которому в народном хозяйстве уже была достигнута экономия почти в два миллиарда рублей, а с 1 января 1971 года цены на изделия электронной техники еще снизили на сумму 660 миллионов рублей. Полупроводниковая промышленность, включая микроэлектронику, быстро превращалась в крупнейшее направление деятельности МЭП. Разработкой и производством интегральных схем занимались уже около двадцати предприятий: НИИ, КБ, опытные и серийные заводы. В 1970 году в стране было выпущено 3,6 миллиона ИС 69-ти серий: 30 серий были гибридными (толстопленочными и тонкопленочными), 7 серий – полупроводниковые по технологии «металл-окисел-полупроводник» (МОП), 32 серии – полупроводниковые на основе p-n-перехода и с диэлектрической изоляцией. Для выпуска новых поколений черно-белых и цветных телевизоров и радиоприемников была создана серия толстопленочных гибридных ИС (К-224).