Юный радиолюбитель
Шрифт:
Для каждой головки вырежь из кожи кольцо 4 (рис. 317, в) с внутренним диаметром 50 мм и наружным 98 мм и заклей им сзади отверстия диффузородержателя 7. В кольце в том месте, где были держатели лепестков, проделай два отверстия под выводы звуковой катушки. Позже к выводам звуковой катушки припаяешь соединительный шнур и вставишь в эти отверстия трубочки 5 из изоляционного материала.
Из такой же кожи или кожезаменителя вырежь еще два кружка 6 по диаметру магнитов головок и наклей их на магниты с наружной стороны. После этого займись акустическим оформлением головок,
Далее из мягкой пористой резины или поролона толщиной 25 мм вырежь амбюшуры 1. Для лучшего прилегания телефонов к ушам отверстия в амбюшурах должны иметь форму эллипса. Основание скрепи с диффузоре держателем 7 шурупами (рис. 317, в). Для крепления соединительного проводника на корпусе головки сделай из жести держатель 8. Затем к основанию приклей амбюшур. Оголовье 9 (рис. 317, г) сделай из сталистой проволоки толщиной 2–3 мм. Верхнюю часть оголовья проложи поролоном 10 или войлоком и обшей кожей, предварительно пропустив внутрь обшивки соединительные проводники.
Для подключения стереотелефонов к выходу усилителя на конце соединительных проводников телефонов должен быть штепсель, соответствующий гнездовой части выходного разъема Х2 усилителя. В таких стереотелефонах вместо головок 1ГД-39Е можно использовать головки 1ГД-50, обладающие более широкой частотной характеристикой. Качество звучания головных телефонов при этом улучшится.
Впрочем, для самодельных стереотелефонов пригодны многие другие малогабаритные динамические головки со звуковыми катушками сопротивлением 8-10 Ом, например 0,2ГД-1, 0,5ГД-20. Надо только по возможности смягчить подвески диффузоров головок, чтобы улучшить звучание телефонов на низких частотах, и выполнить акустическое оформление, соответствующее используемым головкам.
Опыт сборки и налаживания аппаратуры для индивидуального прослушивания стереофонических грамзаписей на головные телефоны поможет тебе перейти к конструированию более мощного усилителя для громкого воспроизведения стереозаписей.
В принципе для воспроизведения стереофонической грамзаписи на громкоговорители можно использовать два одинаковых усилителя 3Ч, обладающих чувствительностью 100–200 мВ и выходной мощностью 1–3 Вт. Целесообразнее, однако, конструировать двухканальный усилитель, рассчитанный на совместную работу с пьезокерамическим звукоснимателем ЭПУ.
Рекомендую тебе сравнительно простой стереофонический усилитель, разработанный радиолюбителем Г. Крыловым из подмосковного города Пущино. Этот усилитель я называю простым потому, что в нем мало транзисторов и отсутствуют некоторые узлы и детали, характерные для многих любительских и промышленных стереофонических усилителей. В нем, например, нет специального регулятора стереобаланса (стереобаланс устанавливают регуляторами громкости каналов усилителя), нет регуляторов тембра звука, требующих дополнительного усиления стереофонического сигнала и применения дефицитного блока переменных резисторов. Все это делает рекомендуемый усилитель более доступным для повторения.
Принципиальная схема усилителя показана на рис. 318.
Рис. 318. Схема усилителя
Транзисторы V1, V2, V4, V5 и динамические головки В2 и В3 громкоговорителя образуют левый канал, а транзисторы V6, V7, V9, V10 и головки В4 и В5-правый канал усилителя.
Каналы, как видишь, совершенно одинаковые. Общими для обоих каналов является только разъем X1, через который ко входу усилителя подключают стереофонический звукосниматель В1 и сетевой блок питания. При напряжении источника питания 22 В номинальная выходная мощность каждого канала равна 1 Вт, максимальная 2 Вт. Чувствительность около 200 мВ. Рабочий диапазон частот — от 50 до 15 000 Гц.
Разберем работу лишь одного из каналов усилителя, например левого. Он трехкаскадный, с непосредственной связью между транзисторами. Транзистор V1 первого каскада — полевой, транзистор V2 второго каскада — маломощный низкочастотный структуры n-p-n, транзисторы третьего, выходного каскада, низкочастотные средней мощности разных структур (V4 — p-n-p, V5 — n-p-n). Через гнездовую колодку разъема Х2 к выходу усилителя подключены последовательно соединенные головки В2 и ВЗ громкоговорителя этого канала.
Ты знаешь, что полевой транзистор обладает очень большим входным сопротивлением и практически не шунтирует источник усиливаемого сигнала. Это позволяет пьезокерамической звукосниматель, внутреннее сопротивление которого большое, подключать ко входу усилителя без каких-либо дополнительных каскадов. В описываемом усилителе сигнал от звукоснимателя подается на затвор полевого транзистора V1 через переменный резистор R1, выполняющий функцию регулятора громкости. Положительное напряжение смещения на затворе транзистора создается автоматически током истока, текущим через резистор R3. Роль нагрузки стока этого транзистора выполняет эмиттерный р-n переход транзистора V2 второго каскада. Сигнал, усиленный этим каскадом, подается непосредственно на базы транзисторов V4 и У5, работающих в двухтактном усилителе мощности. Через электролитический конденсатор С2 колебания звуковой частоты поступают к головкам В2, В4 и преобразуются ими в звуковые колебания.
Чтобы устранить искажения типа «ступенька», возникающие в двухтактном усилителе, на базы их транзисторов относительно эмиттеров необходимо подавать напряжения смещения, открывающие транзисторы. В описываемом усилителе начальные напряжения смещения на базах транзисторов V4 и V5 создаются падением напряжения на диоде V3, включенном в коллекторную цепь транзистора V2 в прямом направлении. Всего на диоде падает 0,25 В. Следовательно, на базе каждого из транзисторов выходного каскада относительно его эмиттера действует напряжение смещения, равное 0,12-0,13 В.
Диод V3 одновременно выполняет роль элемента, термостабилизирующего работу транзисторов выходного каскада. Происходит это следующим образом. Диод вмонтирован между транзисторами выходного каскада, которые во время работы нагреваются сами и нагревают окружающие их детали. От этого изменяется и температура корпуса диода. С повышением температуры прямое сопротивление диода, а значит, и падение напряжения на нем уменьшается, соответственно уменьшаются напряжения смещения на базах и токи коллекторных цепей выходных транзисторов. И, наоборот, с понижением температуры, когда прямое сопротивление диода возрастает, напряжения смещения и коллекторные токи транзисторов тоже несколько увеличиваются. В результате независимо от колебаний температуры режим работы транзисторов выходного каскада остается практически неизменным.