Расплетин
Шрифт:
Хорошей базой для нарождающейся микроэлектроники были отраслевые полупроводниковые НИИ: НИИ-35 (Пульсар) и НИИ-311 (Сапфир), а также Томилинский электровакуумный завод (ТЭЗ), изготавливающий полупроводниковые диоды.
Но эти предприятия скорее были исключением, чем правилом в решении проблемы микроэлектроники. Колосов с одним из руководителей КБ-1 (это был заместитель главного инженера И. И. Аухтун) объездили основные московские институты подобного профиля. Колосов на встречах делал доклад «Что такое микроэлектроника и почему вашим НИИ надо ею заниматься?» Но отношение к новой работе было в основном негативным.
Видя, что личными уговорами ничего не добьешься, Расплетин и Колосов решили обратиться к заместителю министра
8 августа 1962 года вышло постановление ЦК КПСС и СМ СССР о создании в Зеленограде Научного цента микроэлектроники, а в октябре 1962 года А. И. Шокин провел первое большое отраслевое совещание конструкторов — разработчиков полупроводниковых приборов, на котором выступил с докладом.
С этих работ начался новый этап творческих контактов и совместных исследований разработчиков РЭА и создателей новых изделий молекулярной электроники.
А. А. Расплетин активно поддерживал создание научного центра микроэлектроники в Зеленограде. Одним из первых научно-исследовательских институтов научного центра был НИИмикроприборов, где А. А. Расплетин стал членом диссертационного совета.
Как вспоминал первый директор НИИМП И. Н. Букреев:
А. А. Расплетин был одним из самых активных членов диссертационного совета. На заседания совета он приезжал заранее и занимался изучением диссертационной работы, а бывая у руководства НЦ, вникал во все тонкости и трудности создания электронного центра.
К 1964 году конфликт между возрастающими тактико-техническими требованиями к радиоэлектронным системам различного назначения и ее комплектующим изделиям стал особенно заметен.
Справедливости ради, следует отметить, что в таком уважаемом среди специалистов энциклопедическом словаре «Электроника» в статье «Микромодули» было написано:
Микромодули не получили распространения из-за низкой технологичности и сравнительно невысокой надежности и в конце 1960-х гг. были вытеснены интегральными схемами. Даже планарные транзисторы не решали проблем. Но они дали мощный толчок к появлению нового технологического направления — формированию множества планарных элементов на одном, небольшом по размеру полупроводниковом кремниевом кристалле. Появились первые твердотельные интегральные полупроводниковые схемы (ИПС) — логические специальные схемы общего применения «Изумруд ТТЛ», «Логика-2», «Индекс» и специальные схемы: «Инструмент МУ, УИ, ЭК», «Исполин-2», «Ишим» и «Микроватт».
На базе этих схем в КБ-1 были разработаны типовые цифровые ячейки, на четырехслойных печатных платах размером 176x75 миллиметров с количеством микросхем на плате (с двух сторон) — 66.
Вскоре появились гибридно-пленочные схемы общего применения «Терек-2» с числом элементов в схеме 13 и «Посол» с числом элементов 16.
К этому времени у Расплетина окончательно оформилось мнение о необходимости разработки унифицированной системы ПВО, впоследствии получившей обозначение С-300. Но один вопрос не давал покоя А. А Расплетину: на какой элементной базе следует проектировать новую систему ПВО? Чтобы решить этот вопрос, он предложил на базе разработанных цифровых ячеек в сжатые сроки провести исследовательскую конструкторско-технологическую разработку для выявления преимуществ аппаратуры на интегральных
Результаты разработки и испытаний блоков на НС в конце 1966 года были рассмотрены на НТС КБ-1, где было принято принципиально важное решение о широком применении в новых разработках (системе С-300) твердотельных интегральных схем.
А. А. Расплетин очень внимательно следил за развитием производства НС и РЭА как у нас в стране, так и за рубежом. На созданной в КБ-1 по его инициативе в 1954 году базовой кафедре МФТИ было организовано чтение лекций не только по основам радиолокации, но и по применению полупроводниковых схем в РЭА. Курс подготовили и читали в 1961–1964 годах заведующий кафедрой МФТИ при КБ-1 профессор А. А. Колосов и его ученик кандидат технических наук Ю. Е. Наумов. По рекомендации А. А. Расплетина материалы лекций были переработаны и выпущены в виде учебного пособия. Это была первая попытка в СССР систематического изложения вопросов, относящихся к полупроводниковым твердым схемам.
В 1966 году внимание А. А. Расплетина привлекла книга американской фирмы «Моторола» по принципам конструирования ИС. Наиболее ценными разделами, по мнению А. А. Расплетина, были главы, посвященные всем этапам изготовления ИС — от получения кристаллической пластины, на которой формируется ИС, до сборки этих схем в корпус. Расплетин попросил Колосова организовать перевод и выпуск книги. Это пособие по ИС было выпущено и пользовалось большой популярностью у разработчиков ИС и РЭА.
В 1964 году в Зеленограде было организовано первое предприятие по созданию монолитных интегральных схем — НИИ молекулярной электроники (НИИ МЭ) с заводом «Микрон» и начался выпуск по ТЗ КБ-1 базовых ИС 133-й серии (ТТЛ ИС). На первом этапе совместных работ было проведено более 20 ОКР, что привело к разработке нескольких серий микросхем различного назначения и различной степени интеграции. В КБ-1 был разработан технологический процесс изготовления МПП и сборки субблоков на интегральных полупроводниковых схемах.
ВЫБОРЫ В АКАДЕМИЮ НАУК
В 1958 году началась активная кампания по выдвижению кандидатов на избрание в АН СССР. Ученое академическое общество к 1958 году, несмотря на полную секретность работ по созданию межконтинентальных ракет, спутников и ЗРК, осознало, что их создатели достойны самых высоких ученых степеней и званий.
В апреле 1958 года НТС КБ-1 выдвинул в члены корреспонденты АН СССР А. А. Расплетина по отделению технических наук по специальности радиотехника. Выдвижение поддержали академики А. И. Берг, Б. А. Введенский, З. В. Топурия, В. А. Котельников, члены-корреспонденты А. Л. Минц, И. Д. Девятков.
В июне 1958 года состоялась сессия общего собрания Академии наук СССР. Глушко и Королев были на этом собрании избраны академиками, Бармин, Кузнецов, Пилюгин, Рязанский и Мишин — членами-корреспондентами. На том же собрании в действительные члены АН СССР кроме бывших «зэков» Глушко и Королева был избран тоже бывший «зэк» Александр Львович Минц. Создателей первых зенитных ракетных систем А. А. Расплетина и Г. В. Кисунько и конструктора самолетов-истребителей и ракет ПВО С. А. Лавочкина выбрали членами-корреспондентами. По академическим правилам, фамилии и ученые заслуги вновь избранных должны были быть опубликованы в печати. Так, в газете «Правда» от 21 июня 1958 года появилось сообщение о результатах работы сессии АН СССР под рубрикой «Новое пополнение Академии наук СССР». В нем, в частности, говорилось: