Оптимизация BIOS. Полный справочник по всем параметрам BIOS и их настройкам
Шрифт:
Обычные опции: 1 Cycle, 2 Cycles.
Эта функция управляет настройкой памяти для опции tWTR (Write Data In to Read Delay – Задержка записи данных для чтения). Под задержкой подразумевается минимальное количество циклов, которое должно пройти между последней операцией записи и следующей командой чтения в одном банке устройства DDR.
Обратите внимание: данная опция применяется только к командам чтения, которые следуют за операцией записи. Это не относится к последующим операциям чтения или к записям, которые следуют за операциями чтения.
Если вы выберите значение 1 Cycle (1 цикл), каждая команда чтения, которая следует за операцией записи, задерживается на один цикл.
Если вы выберите значение 2 Cycles (2 цикла), каждая команда чтения, которая следует за операцией записи, задерживается на два цикла.
При использовании значения 1 Cycle разрешается быстрое переключение между записью и чтением, что улучшает производительность при чтении.
При использовании значения 2 Cycles производительность при чтении снижается, но стабильность системы улучшается, особенно при работе с высокой частотой. Также эта опция может позволить чипам памяти работать быстрее. Другими словами, увеличение задержки позволит вам разогнать модуль памяти сильнее, чем в обычных условиях.
По умолчанию данная опция настроена на 2 Cycles. Это позволяет выполнить требования спецификации JEDEC (2 цикла задержки для команды чтения и записи в модулях памяти DDR400). Модули памяти DDR266 и DDR333 требуют задержку только в один цикл.
Если вы используете модули памяти DRR266 или DRR333, рекомендуем выбрать значение 1 Cycle, чтобы улучшить производительность при чтении. Также вы можете использовать ее с модулями памяти DDR400. Если вы столкнетесь с проблемами, вернитесь к установке по умолчанию (2 Cycles).
Write Recovery Time (Время восстановления при записи)
Обычные опции: 1 Cycle, 2 Cycles, 3 Cycles.
Эта функция BIOS управляет параметром tWR (Write Recovery Time – Время восстановления при записи) для модулей памяти.
Данная опция указывает задержку (в циклах) между завершением операции записи и моментом, когда активный банк может быть обновлен. Задержка необходима для того, чтобы гарантировать запись данных из буферов записи в ячейки памяти до обновления.
Если задержка слишком мала, банк может обновиться до того, как активный банк сохранит записанные данные в ячейках памяти. В результате данные будут потеряны или повреждены.
Обратите внимание: эта функция BIOS не указывает, сколько времени требуется банку для обновления. Она только определяет, сколько времени требуется банку, чтобы начать обновление после завершения операции записи.
Чем меньше задержка, тем раньше банк может быть обновлен для другой операции чтения/записи (производительность повышается). Однако при этом увеличивается риск повреждения данных во время записи в ячейки памяти.
По умолчанию используется значение 2 Cycles, которое соответствует спецификациям JEDEC для модулей памяти DDR200 и DDR266. Модули памяти DDR333 и DDR400 работают с настройкой 3 Cycles.
Рекомендуем выбрать значение 2 Cycles, если вы пользуетесь модулями памяти DDR200 или DDR266, или значение 3 Cycles, если вы пользуетесь модулями памяти DDR333 или DDR400. Вы можете уменьшить задержку, а в случае возникновения проблем – восстановить предыдущее значение.
Список сокращений
#
#AC – Alignment Check Interrupt (Проверка прерываний)
msec – микросекунда
2D – двухмерный
3D – трехмерный
A
ACPI – Advanced Configuration and Power Interface (Усовершенствованный интерфейс конфигурации и питания)
AGP – Accelerated Graphics Port (Ускоренный видеопорт)
ALU – Arithmetic Logic Unit (Сопроцессор)
AMD – Advanced Micro Devices, Inc.
API – Application Program Interface (Программный интерфейс)
APIC – Advanced Programmable Interrupt Controller (Программируемый контроллер прерываний)
AT – Advanced Technology (Усовершенствованная технология)
ATA – Advanced Technology Attachment (Дополнение к усовершенствованной технологии)
ATI – Allied Telesyn International
B
BIOS – Basic Input/Output System (Базовая система ввода/вывода)
C
CAS – Column Address Strobe (Импульс адреса столбца)
CD – Compact Disc (Компакт-диск)
CD-ROM – Compact Disc – Read Only Memory (Компакт-диск – Только для чтения)
CLK – Clock (Таймер)
CLK-CTL – Clock Control (Управление таймером)
CMD – Command (Команда)
CMOS – Complementary Metal-Oxide Semiconductor (Полупроводник)
CPU – Central Processing Unit (Центральный процессор)
CTRL – Control (Управление)
D
DBI – Dynamic Bus Inversion (Динамическое инвертирование шины)
DDR – Double Data Rate (Двойной коэффициент передачи данных)
DIMM – Dual Inline Memory Module (Двойной модуль памяти)
DIP – Dual Inline Package (Двойной пакет)
DMA – Direct Memory Access (Прямой доступ к памяти)
DOS – Disk Operating System (Дисковая операционная система)
DRAM – Dynamic Random Access Memory (Динамическая память с произвольным доступом)
DVD – Digital Versatile Disk / Digital Video Disc (Цифровой видеодиск)
E
EA – (USN Rating) Engineering Aid
ECC – Error Checking and Correction (Проверка и исправление ошибок)
ECP – Extended Capabilities Port (Расширенный порт)
EMI – Electromagnetic Interference (Электромагнитные помехи)
EPP – Enhanced Parallel Port (Усовершенствованный параллельный порт)
EPROM – Electrically Programmable Read Only Memory (Память с программированием, предназначенная только для чтения)
ESCD – Extended System Configuration Data (Расширенные данные конфигурации системы)