Справочник по параметрам BIOS
Шрифт:
Чем меньше время действия команды, тем раньше может быть активирован банк памяти. Это обеспечивает более быстрый доступ к модулю памяти. Рекомендуем настроить функцию SDRAM Leadoff Command на 3 (3 цикла), чтобы добиться повышения производительности памяти.
Однако ваша материнская плата и память могут не поддерживать время действия команды, равное трем циклам. Если ваша система начнет работать нестабильно, измените настройку опции на 4 (4 цикла).
SDRAM Page Closing Policy (Настройка закрытия страниц SDRAM)
Обычные
Эта функция BIOS является аналогом функции SDRAM Precharge Control.
Данная опция определяет, должна ли при наличии пропуска страницы система сохранять все страницы открытыми (закрывая только одну текущую страницу), либо закрывать их (все текущие страницы).
Настройка One Bank (Один банк) вынуждает контроллер памяти закрывать только одну страницу при наличии пропуска страницы. Это позволяет системе получить доступ к другим открытым страницам всего за один цикл.
Когда возникает пропуск страницы, имеется вероятность, что будет пропущена и страница, к которой обращаются последующие данные. При выполнении долгих операций считывания это может привести к тому, что в системе возникнет до четырех циклов ожидания.
Настройка All Banks (Все банки) вынуждает контроллер при наличии пропуска страницы отправлять в интерфейс SDRAM команду All Banks Precharge (Обновить все банки). Все открытые страницы закрываются (обновляются). В результате последующим операциям достаточно лишь активировать нужные банки памяти. Это полезно в случае, если последующие запросы на чтение обращаются к пропущенным страницам.
Как видите, обе настройки имеют свои преимущества и недостатки. Тем не менее, опция One Bank позволяет получить повышенную производительность, так как открытые страницы обеспечивают очень быстрый доступ. При использовании значения All Banks содержимое памяти обновляется чаще. Это улучшает интеграцию данных, правда, только в том случае, если вы выбрали для опции SDRAM Refresh Interval значение, которое превышает 64 мсек.
Рекомендуем выбрать настройку One Bank, чтобы улучшить производительность памяти. Значение All Banks способно повысить интеграцию данных, но, если вы не изменяете настройку параметра SDRAM Refresh Interval, это вам не понадобится.
SDRAM Page Hit Limit (Ограничение запросов для страниц SDRAM)
Обычные опции: 1 Cycle, 4 Cycles, 8 Cycles, 16 Cycles, 32 Cycles.
Данная функция BIOS предназначена для того, чтобы уменьшить недостаток данных, который возникает в случае, если запросы, не достигающие страниц, задерживаются. Это достигается путем ограничения количества запросов, достигших страниц, которые обрабатываются контроллером памяти перед тем, как обратиться к запросу, не дошедшему до страницы.
Обычно значение по умолчанию (8 Cycles – 8 циклов) должно обеспечивать баланс между производительностью и свободным доступом к памяти для всех устройств. Вы можете попробовать использовать повышенное значение (16 Cycles – 16 циклов), чтобы
SDRAM PH Limit (Ограничение запросов SDRAM PH)
Обычные опции: 1 Cycle, 4 Cycles, 8 Cycles, 16 Cycles, 32 Cycles.
Данная функция BIOS предназначена для того, чтобы уменьшить недостаток данных, который возникает в случае, если запросы, не достигающие страниц, задерживаются. Это достигается путем ограничения количества запросов, достигших страниц, которые обрабатываются контроллером памяти перед тем, как обратиться к запросу, не дошедшему до страницы.
Обычно значение по умолчанию (8 Cycles – 8 циклов) должно обеспечивать баланс между производительностью и свободным доступом к памяти для всех устройств. Вы можете попробовать использовать повышенное значение (16 Cycles – 16 циклов), чтобы повысить производительность памяти. Не советуем уменьшать значение: как правило, это ведет к увеличению числа прерываний на страницах.
SDRAM Precharge Control (Управление обновлением SDRAM)
Обычные опции: Enabled, Disabled.
Эта функция BIOS является аналогом функции SDRAM Page Closing Policy.
Данная опция определяет, должна ли при наличии пропуска страницы система сохранять все страницы открытыми (закрывая только одну текущую страницу), либо закрывать их (все текущие страницы).
Настройка Enabled вынуждает контроллер памяти закрывать только одну страницу при наличии пропуска страницы. Это позволяет системе получить доступ к другим открытым страницам всего за один цикл.
Когда возникает пропуск страницы, имеется вероятность, что будет пропущена и страница, к которой обращаются последующие данные. При выполнении долгих операций считывания это может привести к тому, что в системе возникнет до четырех циклов ожидания.
Настройка Disabled вынуждает контроллер при наличии пропуска страницы отправлять в интерфейс SDRAM команду All Banks Precharge (Обновить все банки). Все открытые страницы закрываются (обновляются). В результате последующим операциям достаточно лишь активировать нужные банки памяти. Это полезно в случае, если последующие запросы на чтение обращаются к пропущенным страницам.
Как видите, обе настройки имеют свои преимущества и недостатки. Тем не менее, опция Enabled позволяет получить повышенную производительность, так как открытые страницы обеспечивают очень быстрый доступ. При использовании значения Disabled содержимое памяти обновляется чаще. Это улучшает интеграцию данных, правда, только в том случае, если вы выбрали для опции SDRAM Refresh Interval значение, которое превышает 64 мсек.
Рекомендуем выбрать настройку Enabled, чтобы улучшить производительность памяти. Значение Disabled способно повысить интеграцию данных, но, если вы не изменяете настройку параметра SDRAM Refresh Interval, это вам не понадобится.