Космическая технология и производство
Шрифт:
Выращивание монокристаллов из расплавов. Дефекты полупроводниковых монокристаллов при их выращивании из расплава возникают из-за появления в расплаве конвекционных течений разного типа, а также из-за поступления в него нежелательных примесей. Для выращивания монокристалла из расплава необходим перепад температуры, а при этом на Земле часто возникает термическая конвекция. Конвекционные течения ведут к появлению местных пульсаций температуры в жидкости, а за счет того, что растворимость примеси в расплаве зависит от температуры, — и к неоднородному распределению примеси в растущем кристалле. Это явление, обусловленное конвекцией, называется полосчатостью, или микросегрегацией. Полосчатость является одним из дефектов структуры полупроводниковых монокристаллов. Благодаря возможности уменьшить роль конвекции в космосе ожидают, что монокристаллы, выращиваемые на борту КА, будут обладать
Для оценки влияния конвекционных течений на явление сегрегации на примере монокристаллов германия, легированного примесями, на станции «Скайлэб» был поставлен такой эксперимент. Установленные в ампулах кристаллы размещались в электронагревательной печи, где они сначала частично расплавлялись, а затем в условиях почти постоянного перепада температур остывали и закристаллизовывались. В качестве легирующих примесей в разных ампулах использовались галлий, сурьма и бор. Сравнение с контрольными образцами, полученными тем же способом на Земле, показало, что сегрегация примесей в кристаллах германия, доставленных из космоса, оказалась в несколько раз меньше. В случае германия, легированного галлием, исследована также относительная однородность удельного сопротивления материала по длине образца. Для земных образцов она составляла / 6,4 · 10–2, а для космических — 0,8 · 10–2.
Процесс кристаллизации германия, легированного галлием, исследовался также при запуске советской высотной ракеты в декабре 1976 г. В этом эксперименте для разогрева образцов использовался экзотермический источник тепла. Исследование ампул, доставленных на Землю, показало, что фронт плавления имел достаточно плоскую форму. Этот результат подтвердил перспективность использования приборов подобного типа в. экспериментах по получению полупроводниковых материалов.
В других экспериментах на станции «Скайлэб» были получены монокристаллы антимонида индия. В первом из них стержень из антимонида индия устанавливался внутри графитовой капсулы таким образом, чтобы его свободный конец оказывался в полой полусфере. Цель эксперимента — попытка получить кристаллы сферической формы. Однако из-за того, что расплав частично прилип к графитовой стенке полости, форма полученных кристаллов оказалась не сферической, а каплеобразной. Однако структура кристаллов стала более совершенной: плотность дислокаций [10] уменьшилась в 5 — 10 раз, а примесь (селен) была распределена более равномерно, чем в контрольных образцах, полученных на Земле.
10
Дислокацией называется дефект структуры кристаллической решетки, выражающийся в ее линейном несовершенстве.
Другой эксперимент заключался в переплавке и последующем затвердевании образцов антимонида индия, находящихся в трех запаянных ампулах: в одной — чистый антимонид индия, в другой — легированный теллуром, в третьей — легированный оловом. Исследования полученных кристаллов также показали их высокую однородность.
В ряде экспериментов исследовалась возможность получения из расплавов полупроводниковых материалов состоящих из сильно различающихся по удельному весу компонентов. Например, в одном эксперименте, выполнявшемся при совместном полете кораблей «Союз» и «Аполлон», исследовалось влияние невесомости на направленное затвердевание полупроводниковых материалов. Использовались пары свинец—цинк и сурьма—алюминий. Космические образцы сплава сурьма—алюминий оказались более однородными по сравнению с земными. В случае сплава свинец—цинк полной однородности достигнуть не удалось.
Выращивание монокристаллов из растворов. Если в пересыщенный раствор нужного вещества ввести затравочный кристаллик, то на нем будет происходить рост кристалла в условиях постоянной температуры. Таким методом выращивают кристаллы, находящие применение в качестве детекторов звуковых волн, в оптике и т. д. Растущий кристалл чутко реагирует на любые изменения условий роста: колебания температуры и концентрации, возникновение конвекционных течений, наличие инородных примесей и т. п. Изменение условий возбуждения конвекционных течений в растворе, иное поведение примесей в невесомости будут влиять на особенности роста кристаллов на борту космических аппаратов.
Результаты экспериментального исследования особенностей выращивания кристаллов алюмокалиевых квасцов из их пересыщенного водного раствора, которое было проведено на станции «Салют-5», изложены в предыдущей главе.
Выращивание кристаллов из паровой фазы.
Ожидаемые эффекты были также исследованы в эксперименте на станции «Скайлэб». Техника выращивания кристаллов из паровой фазы была применена к селениду и теллуриду германия. Были получены кристаллы, качество которых оказалось выше, чем у контрольных образцов, приготовленных на Земле. Удалось получить плоские монокристаллы селенида германия размером 4 x 17 мм и толщиной около 0,1 мм. На Земле были получены лишь мелкие кристаллики с несовершенной структурой.
С учетом этих результатов при совместном полете кораблей «Союз» и «Аполлон» был поставлен такой эксперимент. Здесь техника выращивания кристаллов из паровой фазы была применена к более сложным системам: германий—селен—теллур и германий—сера—селен. Образцы, полученные в космических условиях, также оказались более совершенными, а их структура более однородной.
Оптическое стекло и керамика
Влияние условий, близких к невесомости, на технологию производства стекла может быть различным. Во-первых, в невесомости можно осуществить бесконтейнерное плавление, резко уменьшив таким образом поступление в материал вредных примесей со стенок тигля, в котором варится стекло. Во-вторых, можно обеспечить стабильность жидких смесей, компоненты которых сильно различаются по плотности. В-третьих, отсутствие свободной конвекции уменьшает вероятность появления случайных центров кристаллизации, способствует улучшению однородности. В-четвертых, преобладающую роль капиллярных сил можно использовать для того, чтобы придать жидкому расплаву перед затвердеванием необходимую форму (волокна, пленки и т. п.). Использование перечисленных факторов позволяет рассчитывать на (получение в процессе космического производства улучшенных или качественно новых сортов стекол, а также изделий из стекла.
На рис. 12 показано, как меняется с температурой объем расплавленной стеклообразующей массы. Когда по мере остывания расплава достигается температура затвердевания Тm, дальнейший процесс может развиваться двояко. Если в расплаве присутствуют зародыши (примеси, поступающие со стенок тигля, местные неоднородности по химическому составу и т. п.), то в объеме может начаться кристаллизация и объем будет уменьшаться в соответствии с нижней кривой. Если же образование зародышей кристаллизации удается подавить, а скорость охлаждения сделать достаточно большой, то возникнет сначала состояние переохлажденной жидкости, которая при достижении температуры стеклования Тg переходит в стекло (верхняя кривая на рис. 12). В космосе возможен процесс бестигельной варки стекла, и однородность расплава будет выше ввиду отсутствия конвекции. Эти преимущества открывают возможности получения на борту космических аппаратов улучшенных и новых сортов оптического стекла.
Рис. 12. Изменение объема жидкости с температурой в процессе варки стекла (Тm — температура кристаллизации; Тg— температура стеклования. 1 — расплав; 2 — переохлажденная жидкость; 3 — стекло; 4 — кристалл)
Вместе с тем для успешного развития производства-стекла в космических условиях, по-видимому, придется преодолеть ряд технических трудностей: удаление нежелательных газовых пузырьков из стеклообразной массы в отсутствие плавучести, обеспечение заданного темпа охлаждения без естественной конвекции, контроль температурного режима охлаждения и допустимого уровня случайных ускорений в условиях бесконтейнерного удержания стеклообразной массы.